第五十一章圆筒式刻蚀机（2/3）_重生之奋斗在香江

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第五十一章圆筒式刻蚀机（2/3）

殊，他集合了东方和西方大学的一些优秀经验，走出一条自己的路。

那几个学生从刚开始一番手忙脚乱之后，慢慢得开始变得有了些章法了，最后终于把所有人的茶水跟咖啡都准确无比的端给了大家，他们才退了出去，走时还把会议室的门不忘关上。

人全部走了以后，王海华才把凌世哲交给他的资料袋打开，不出他所料里面是好几张晒制图和一些技术资料。把资料依次分给了其他教授和工程师，他自己把晒图纸摊开在会议桌上，从衣兜里拿出眼镜盒打开，取出老花镜戴上，向晒制图看去，旁边邱明和克里斯托福以及两个教授和一名安布雷拉的工程师也走了过来，一起向这章晒图纸看去。

图纸上左下角数据栏写着圆筒式等离子处理系统。

自从上次他们告诉凌世哲电耦合等离子体刻蚀系统无法短时间搞出来后，凌世哲这些天查了好多资料，终于找出了一套替代方案。

半导体历史上对硅片的刻蚀在77年以前都是采用的化学湿法腐蚀技术工艺，这种技术是利用乙酸或2o缓冲的/no3溶液与薄膜建所进行的化学反应，来去除薄膜未被光刻胶覆盖的部分来到达刻蚀目的，这种刻蚀方法又叫湿法刻蚀技术，是一种纯化学刻蚀。

后来随着半导体技术的进步，湿法刻蚀技术走到了镜头，开始进入干法刻蚀。它不使用液体，是利用等离子体或高能粒子束轰击的方式来对晶元进行刻蚀。

桶式刻蚀机是最早的刻蚀机，也是最简单的刻蚀机。凌世哲设计得圆筒式刻蚀系统是在桶式刻蚀机上改进而来的，它采用一款通用的真空处理舱及机箱，是一款满足等离子去胶，清除浮渣，各向同性和各向同性蚀，采用高模块化装配设计、多功能真空舱体－电极设计、结构紧凑，具有自动化工艺程序的等离子体刻蚀设备。

凌世哲就是要用这个套装置来代替p刻蚀机，这套系统的刻蚀尺寸极限是0.5微米；按照现在的半导体技术发展速度，这套设备使用达到极限后，p刻蚀机已经完全可以进入使用阶段了，到时候就可以跟圆筒式刻蚀机进行交接，把它替换下来。

这样他就不需要像原先的历史那样，频繁的更换刻蚀机。这是他苦思了很久才想出来的一套解决方案。

良久以后，凌世哲问道：“如何，以现在的科技能不能把它造出来？”

邱明与众人互相看了看，点了点头，说道：“设计上没什么问题，只需要花些时间做几个试验找出最佳的数据值，明年三月份以前就可以定型投入使用了。”

要明年才能出来，凌世哲显然对这个进度不满意，说道：“给你们三个月时间能不能搞出来？”

卡姆摇头说道：“很难，明年三月份都不一定能够做出来，boss你看，你得这套系统是全自动化的，数控系统的开发就要花许多时间，如果要明年三月份出来，这还是在没有重**的情况下，如果有重**，就不知道要花多少时间了。”

卡姆这么一说凌世哲突然想到历史上的800数控机床，这台机床是美国斯皮舍尔公司在七十年代末推出的，开发时间整整用了十年，然后隔了多少年来着，时间太过久远凌世哲也记不住了，反正就是发现这台机床有重大问题，经过检验发现问题出在软件上，斯皮舍尔公司花了几年时间都没有找出里面的b，后来一直到了90年代才把这个b给找出来，它隐藏之深可见一斑；可惜的是这台机床的b不止一处，而是好几处，全都是重大的b，直达90年代末才全部解决。不过那个时候斯皮舍尔公司早已经成为了历史。

软件出现问题要解决起来相当的麻烦，软件故障问题能否顺利的解决，全部取决于你能否第一时间找出里面的b，如果你不能在最短的时间内找到，那么你就惨了，特别是重**，你就怎么都解决不了。找出了b你才能解决问题，找不出你就洗白。

“不，应该不会出现这个问题，软件出现这种问题一般都是内核结构设计上的不合理，其次是在程序编写上有着严重失误才会造成。你们看，boss的这套数控系统在机构上非常的简单，用的p芯片是rs构架，硬件的设计上也没有任何问题，这样软件的内核结构在设计上会简单许多，排除了重**缺陷的可能，只要程序员在编写时不出现重大的失误，严重b的可能就可以排除掉，就算有些小b也不会有什么影响。另外，我建议使用**a2.0企业版编程语言来编写它的程序，aa优势是适合团队开发，软件工程可以相对做到规范，可以用来开发可靠的、要求严格的应用程序，这是一个很难比拟的优势。这样可以最大限度的防止严重b的出现，我们可以采用分组编写的方式来编写软件代码，这样可以节约很多时间，软件编写完成后，在用程序检测软件来检测它是否有漏洞，特别是重大漏洞。”安布雷拉公司的一名软件工程师反驳道。

“rs构架的程序编写量非常的庞大，我们的程序员完全不够啊！”卡姆说道。

“我们可以找那些学生来编写，只要程序上面不出现大问题，我们就可以在明年三月份之前完成。
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第五十一章 圆筒式刻蚀机（2/3）

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